Truyền dịch hồi sức cho bệnh nhân suy tuần hoàn cấp nhằm mục đích tăng thể tích tâm thu và do đó cải thiện cung lượng tim để cung cấp oxy cho mô tốt hơn. Tuy nhiên, liệu pháp này không phải lúc nào hiệu quả vì khoảng một nửa số bệnh nhân không đáp ứng với dịch truyền. Việc đánh giá khả năng đáp ứng dịch truyền nhằm tránh nguy cơ quá tải cho bệnh nhân. Các thông số động nhằm đánh giá khả năng đáp ứng dịch truyền là những yếu tố tiên đoán đầy triển vọng. Trong số này, siêu âm tim đo sự biến thiên theo chu kì hô hấp của đường kính tĩnh mạch chủ dưới (IVC) rất dễ áp dụng đã được sử dụng trong đánh giá huyết động của bệnh nhân ở khoa Hồi sức tích cực (ICU). Bài báo này cập nhật việc đánh giá biến đổi trong chu kì hô hấp của IVC để dự đoán khả năng đáp ứng với dịch truyền trên bệnh nhân suy tuần hoàn ở ICU. Show Công trình này công bố kết quả nghiên cứu cấu trúc, độ bền và bản chất liên kết hóa học của các cluster silic pha tạp Si2M với M là một số kim loại hóa trị I bằng phương pháp phiếm hàm mật độ tại mức lý thuyết B3P86/6-311+G(d). Theo kết quả thu được, đồng phân bền của các cluster pha tạp Si2M có cấu trúc tam giác cân, đối xứng C2v và tồn tại hai trạng thái giả suy biến có cùng độ bội spin (A1 và B1). Kết quả thu được cho thấy liên kết Si-M được hình thành chủ yếu từ sự chuyển electron từ AO-s của các nguyên tử Li, Na, K, Cu, Cr sang khung Si2 và sự xen phủ của các AO-d của nguyên tử Cu, Cr với AO của khung Si2. Kết quả nghiên cứu các cluster Si2M (M là Li, Na, K, Cu, Cr) cho ra kết luận rằng cluster Si2Cr là bền nhất. Xử lý phổ hay hiệu chỉnh phổ là quá trình loại bỏ hoặc làm giảm bớt các sai số do ảnh hưởng của điều kiện khí quyển, nguồn sáng chiếu và bề mặt địa hình. Có hai loại hiệu chỉnh phổ: hiệu chỉnh tuyệt đối và hiệu chỉnh tương đối. Trong bài báo nhóm nghiên cứu tập trung tìm hiểu các phương pháp hiệu chỉnh phổ tương đối từ đó xây dựng phương pháp hiệu chỉnh phổ trên ảnh vệ tinh VNREDSat-1. Phương pháp được lựa chọn bao gồm nắn chỉnh hình học ảnh, lựa chọn các đối tượng bất biến giả định, xác định tham số chuẩn hóa. Kết quả thực nghiệm được kiểm định qua các phép phân tích thống kê giá trị độ sáng của pixel trên ảnh trước và sau chuẩn hóa phổ. Độ chính xác của kết quả thể hiện phương pháp lựa chọn là hợp lý. Bài tập toán cao cấp.Tập 3,Phép giải tích nhiều biến số. DSpace/Manakin Repository. ... Đặt vấn đề: Can thiệp sang thương tắc hoàn toàn mạn tính (THTMT) là thử thách lớn trong can thiệp động mạch vành (ĐMV) qua da với tỉ lệ thất bại thủ thuật cao hơn can thiệp các sang thương khác. Các nghiên cứu về kết quả can thiệp qua da sang thương THTMT tại Việt Nam không nhiều nên chúng tôi tiến hành nghiên cứu này nhằm có thêm dữ liệu về kết quả can thiệp sang thương THTMT ĐMV. Mục tiêu: Xác định tỉ lệ thành công, các yếu tố liên quan thất bại của thủ thuật can thiệp qua da sang thương THTMT ĐMV. Phương pháp: Nghiên cứu quan sát trên 194 bệnh nhân được can thiệp ĐMV qua da sang thương THTMT tại Bệnh viện Đại học Y Dược TP Hồ Chí Minh, từ 04/2017 đến 06/2019. Kết quả: Bệnh nhân có tuổi trung bình là 67,3±11,3; với 73,7% nam cao so với nữ; 82,5% có tiền sử ghi nhận tăng huyết áp, 26,3% nhồi máu cơ tim cũ, can thiệp ĐMV qua da trước đây (26,3%), đái tháo đường (29,9%), bệnh thận mạn (9,8%) và 77,4% bệnh nhân nhập viện vì hội chứng vành cấp. Điểm SYNTAX I trung bình là 21,7±7,2. Tỉ ... Penelitian ini bertujuan untuk mendeskripsikan bentuk musik dan teknik permainan biola pada Concerto in A Minor 3rd Movement RV 356 Op. 3 No. 6 karya Antonio Vivaldi. Penelitian ini menggunakan metode penelitian kualitatif. Data yang diperoleh dalam penelitian melalui observasi, wawancara, dan dokumentasi. Teknik analisis data yang digunakan adalah reduksi data, penyajian data, dan kesimpulan data. Serta terdapat uji keabsahan data dengan teknik triangulasi. Hasil penelitian menunjukkan bahwa pada Concerto in A Minor 3rd Movement RV 356 Op. 3 No. 6 karya Antonio Vivaldi memiliki bentuk musik Concerto Form, dengan teknik Ritornello Form. Adapun teknik permainan biola yang digunakan dalam penelitian ini adalah teknik legato, detache, staccato, quavers dan semiquavers, trill, dan accent.Kata Kunci : Teknik, Bentuk, Concerto in A Minor 3rd Movement RV 356 Op. 3 No. 6, Antonio Vivaldi
0% found this document useful (0 votes) 178 views 51 pages Chương 3 giáo trình cấu kiện điện tử trình bày nội dung về diode và một số mạch sử dụng diode Copyright© © All Rights Reserved Available FormatsPDF, TXT or read online from Scribd Share this documentDid you find this document useful?0% found this document useful (0 votes) 178 views51 pages Chapter3 Diode GTChương 3 giáo trình cấu kiện điện tử trình bày nội dung về diode và một số mạch sử dụng diode Jump to Page You are on page 1of 51 Chương 3: diode bán dẫ n 43 CHƯƠNG 3: DIODE BÁN D Ẫ N 3.1 TI Ế P XÚC P-N N ế u trên m ộ t mi ế ng bán d ẫn đơn tinh thể , ta t ạ o ra hai vùng có b ả n ch ấ t d ẫ n điệ n khác nhau: m ộ t vùng là bán d ẫ n t ạ p lo ạ i P và m ộ t vùng kia là bán d ẫ n t ạ p lo ạ i N (hình 3 .1). Như vậ y, t ạ i ranh gi ớ i ti ế p xúc gi ữ a hai vùng bán d ẫ n P và N này s ẽ xu ấ t hi ệ n m ộ t l ớ p ti ế p xúc có đặ c tính v ậ t lý khác h ẳ n v ớ i hai vùng bán d ẫ n P và N, đượ c g ọ i là l ớ p ti ế p xúc P-N (hình 3.1b). T ạ i l ớ p ti ế p xúc (hình 3.1b) có s ự khu ếch tán các điệ n t ử t ừ vùng N sang vùng P và các l ỗ tr ố ng t ừ vùng P sang vùng N. L ỗ tr ố ng tái h ợ p v ới điệ n t ử s ẽ tr ở thành điện tích âm, còn điệ n t ử do nhườ ng s ẽ tr ở thành điệ n tích dương. Vì vậ y, t ạ i l ớ p ti ế p xúc P-N ch ỉ bao g ồ m hai kh ối điệ n tích trái d ấ u là các ion âm bên phía bán d ẫ n P và ion dương bên phía bán dẫn N. Đây là các ion cố đị nh, không d ẫn điệ n, do v ậ y, l ớ p ti ế p xúc P-N còn g ọi là vùng điệ n tích không gian (hay còn g ọ i là vùng nghèo h ạ t d ẫ như hình 3.1c. S ự thay đổ i c ủa điệ n th ế tĩnh ở vùng điệ n tích không gian s ẽ t ạ o ra hàng rào th ế năng , hàng rào th ế năng sẽ ngăn c ả n s ự khu ế ch tán ti ế p theo c ủ a các l ỗ tr ố ng t ừ vùng P qua l ớ p ti ế p xúc và các điệ n t ử t ừ vùng N qua l ớ p ti ế p xúc . Khi vùng điệ n tích không gian này đủ l ớ n, nó s ẽ ngăn không cho điệ n t ử t ự do t ừ vùng N sang P n ữ a, d ẫn đến không có dòng điệ n ch ạ y qua ti ế p xúc P-N. Hình 3.1 : s ự hình thành ti ế p xúc P-N  Chương 3: diode bán d ẫ n 44 Phân c ự c thu ậ n ti ế p xúc P-N Ti ế p xúc P- N đượ c phân c ự c thu ận khi ta đặ t m ộ t ngu ồn điệ n áp bên ngoài có c ực dương nguồn đượ c n ố i vào bán d ẫ n P và c ự c âm ngu ồ n n ố i vào bán d ẫn N như hình 3 .2a. Điện tích dương củ a ngu ồ n s ẽ đẩ y l ỗ tr ố ng tro ng vùng P, và điệ n tích âm c ủ a ngu ồ n s ẽ đẩy điệ n t ử trong vùng N l ạ i g ầ n l ớ p ti ế p xúc. Khi l ực đẩy tĩnh điện đủ l ớn thì các điệ n t ử ở vùng N s ẽ d ễ dàng vượ t qua ti ếp giáp để tái h ợ p v ớ i các l ỗ tr ống trong vùng P. Như vậ y, s ẽ có m ột dòng điệ n ch ạ y t ừ P sang N, dòng điệ n này đượ c g ọi là dòng điệ n thu ậ Khi tăng điệ n áp thu ậ n lên, ti ế p xúc P- N đượ c phân c ự c thu ậ n càng m ạ nh, hi ệ u điệ n th ế ti ế p xúc càng gi ảm, vùng điệ n tích không gian càng gi ả m (hàng rào th ế năng giảm), đồ ng th ời điệ n tr ở l ớ p ti ế p xúc gi ả m, b ề dày c ủ a l ớ p ti ếp xúc cũng gi ả m, các h ạ t d ẫn đa số khu ế ch tán qua ti ế p xúc P-N càng nhi ều nên dòng điệ n thu ận càng tăng và nó tăng theo qui luậ t hàm s ố mũ với điệ n áp ngoài. Phân c ực ngượ c ti ế p xúc P-N Ti ế p xúc P- N đượ c phân c ực ngượ c khi c ự c âm c ủ a ngu ồ n đượ c n ố i v ớ i P và c ực dương nguồn đượ c n ố i t ới N. Khi đó, các lỗ tr ố ng c ủ a vùng P b ị hút b ở i c ự c âm và các điệ n t ử c ủ a N b ị hút b ở i c ực dương củ a ngu ồn. Do đó, bề dày c ủa điệ n tích không gian s ẽ tăng lên, các hạ t d ẫn đa số khó khu ếch tán qua vùng điệ n tích không gian, làm cho dòng điệ n khu ế ch tán qua ti ế p xúc P-N gi ả m xu ố ng so v ớ i tr ạ ng thái cân b ằng ban đầ
ặ t khác, các h ạ t d ẫ n thi ể u s ố s ẽ chuy ển độ ng trôi qua vùng ti ế p giáp và t ạo nên dòng điệ n trôi có chi ề u t ừ bán d ẫ n N sang bán d ẫn P và đượ c g ọ i là d òng điện ngượ
ếu tăng điện áp ngượ c lên s ẽ làm cho dòng điện ngược tăng lên. Nhưng do n ồng độ các h ạ t d ẫ n thi ể u s ố có r ất ít nên dòng điện ngược nhanh chóng đạ t giá tr ị bão hòa và đượ c g ọi là dòng điện ngượ c bão hòa I S có giá tr ị r ấ t nh ỏ kho ả ng t ừ vài n A đế n vài ch ụ c µA. Chương 3: diode bán dẫ n 45 Hình 3.2 : phân cực tiếp xúc P -Na) Phân cực thuận b ) Phân cực ngược Vùng điện tích không gian a) NP Điện tửLỗ trống Vùng điện tích không gian b) NP Điện tửLỗ trống 3.2 C Ấ U T Ạ O VÀ HO ẠT ĐỘ NG C Ủ A DIODE BÁN D Ẫ N 3.2.1 C ấ u t ạ o - ký hi ệ u diode bán d ẫ n Diode bán d ẫ n là linh ki ệ n có m ộ t l ớ p ti ế p xúc P-N và có hai chân c ự c g ồ m chân anode (ký hi ệu là A) đượ c n ố i t ớ i bán d ẫ n P và chân cathode (ký hi ệ u là K) đượ c n ố i v ớ i bán d ẫn N đượ c b ọ c trong v ỏ b ả o v ệ b ằ ng kim lo ạ i ho ặ c nh ự a t ổ ng h ợ Hình 3.3 : c ấ u t ạ o và ký hi ệ u c ủ a diode bán d ẫ Reward Your CuriosityEverything you want to read. Anytime. Anywhere. Any device. No Commitment. Cancel anytime. |
